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半導(dǎo)體芯片涉及多少設(shè)備

來(lái)源:【贏家江恩】責(zé)任編輯:yjcf360添加時(shí)間:2023-03-23 11:24:54
  半導(dǎo)體主要有四個(gè)組成部分:集成電路、光電子器材、分立器材和傳感器;集成電路是半導(dǎo)體工業(yè)的核心,占到了80%以上。集成電路包括邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、模擬芯片和mpu等。集成電路在性能、集成度、速度等方面的快速發(fā)展是以半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展為基礎(chǔ)的。
  1、單晶爐設(shè)備功能:熔融半導(dǎo)體材料,拉單晶,為后續(xù)半導(dǎo)體器件制造,提供單晶體的半導(dǎo)體晶坯。

  2、氣相外延爐,設(shè)備功能:為氣相外延生長(zhǎng)提供特定的工藝環(huán)境,實(shí)現(xiàn)在單晶上,生長(zhǎng)與單晶晶相具有對(duì)應(yīng)關(guān)系的薄層晶體,為單晶沉底實(shí)現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備。氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝,其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù),而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系。

  3、分子束外延系統(tǒng),設(shè)備功能:分子束外延系統(tǒng),提供在沉底表面按特定生長(zhǎng)薄膜的工藝設(shè)備;分子束外延工藝,是一種制備單晶薄膜的技術(shù),它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長(zhǎng)薄膜。

  4、氧化爐(VDF),設(shè)備功能:為半導(dǎo)體材料進(jìn)行氧化處理,提供要求的氧化氛圍,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計(jì)的氧化處理過(guò)程,是半導(dǎo)體加工過(guò)程的不可缺少的一個(gè)環(huán)節(jié)。

  5、低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(LPCVD),設(shè)備功能:把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入LPCVD設(shè)備的反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。

  6、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD),設(shè)備功能:在沉積室利用輝光放電,使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),沉積半導(dǎo)體薄膜材料。

  7、磁控濺射臺(tái)(MSA),設(shè)備功能:通過(guò)二極濺射中一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng),和靶表面上形成的正交電磁場(chǎng),把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域,實(shí)現(xiàn)高離子密度和高能量的電離,把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

  8、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)(CMP),設(shè)備功能:通過(guò)機(jī)械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用,對(duì)被研磨體(半導(dǎo)體)進(jìn)行研磨拋光

  9、光刻機(jī),設(shè)備功能:在半導(dǎo)體基材上(硅片)表面勻膠,將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上,把器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上。10、反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)(RIE),設(shè)備功能:平板電極間施加高頻電壓,產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層,放入式樣,離子高速撞擊式樣,實(shí)現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)刻蝕和物理撞擊,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的加工成型。

  11、ICP等離子體刻蝕系統(tǒng),設(shè)備功能:一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體,一方面等離子體中的活性基團(tuán)與待刻蝕表面材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物;另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導(dǎo)和加速,實(shí)現(xiàn)對(duì)待刻蝕表面進(jìn)行定向的腐蝕和加速腐蝕。

  12、濕法刻蝕與清洗機(jī),設(shè)備功能:濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。清洗是為減少沾污,因沾污會(huì)影響器件性能,導(dǎo)致可靠性問(wèn)題,降低成品率,這就要求在每層的下一步工藝前或下一層前須進(jìn)行徹底的清洗。

  13、離子注入機(jī)(IBI),設(shè)備功能:對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜。

  14、探針測(cè)試臺(tái),設(shè)備功能:通過(guò)探針與半導(dǎo)體器件的pad接觸,進(jìn)行電學(xué)測(cè)試,檢測(cè)半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計(jì)性能要求。

  15、晶片減薄機(jī),設(shè)備功能:通過(guò)拋磨,把晶片厚度減薄。

  16、晶圓劃片機(jī)(DS),設(shè)備功能:把晶圓,切割成小片的Die。

  17、引線(xiàn)鍵合機(jī)(Wire Bonder),設(shè)備功能:把半導(dǎo)體芯片上的Pad與管腳上的Pad,用導(dǎo)電金屬線(xiàn)(金絲)鏈接起來(lái)。

  以上內(nèi)容是贏家江恩工作人員從互聯(lián)網(wǎng)中總結(jié)出來(lái)的一些涉及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)加工設(shè)備,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能是我們很長(zhǎng)一段時(shí)間都在關(guān)注的事情,目前國(guó)際上對(duì)我們的高精端設(shè)備的管控越來(lái)越嚴(yán),自力更生成為我們必走之路,希望我們國(guó)家的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盡快達(dá)到國(guó)際一流,也希望此篇文章能給您帶來(lái)一定的答案。

 

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